TPHR9003NL,L1Q TOSHIBA 功率MOS管晶体管，N沟道30V 60A 8-SOP,深圳益之星实业有限公司 ebest-hk.com-深圳市益之星实业有限公司

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TPHR9003NL TPHR9003NL，L1Q功率MOS管晶体管，N沟道30V 60A 8-SOP MOSFET

型号: TPHR9003NL,L1Q
牌子: TOSHIBA
封装: SOP8
类型: MOSFET

封装 / 箱体: SOP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V to 2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 74 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Reel

系列: TPHR9003NL

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Toshiba

Pd-功率耗散: 78 W
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