新一代600V平面MOSFET系列

东京—东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。 

π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计，与现有的π-MOS VII系列相比，其EMI噪声峰值低5dB^[1]，同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度，因此有助于减小设计工作量。此外，π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流，可轻松取代现有的MOSFET。 

东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件，以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。